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永源微AP70H06NF-60VN-Channel增强模式MOSFET

2025-11-19 02:13 | 来源:电子世界报

描述: AP70H06NF采用先进的APM-SGTⅠ技术 提供出色的RDS(ON) 低栅极电荷 并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其它开关应用。 一般特性: VDS = 60V ID =70A RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V (Type:7.5mΩ) 应用: 电池保护 负载开关 不间断电源

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